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发表于:2024年12月23日

杭州万高科技推出eDRAM高密度混合架构专利,推动边缘计算智能设备创新

数智朋克
发布者:数智朋克
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  • 杭州万高科技申请基于eDRAM的高密度混合架构专利,提升计算效率与能效⚡
  • 该技术特别适用于边缘计算设备,推动AI加速与低功耗需求的满足💡
  • eDRAM架构应用于图像识别、语音处理等AI任务,提升智能设备性能📱
  • 预计在移动设备和嵌入式系统中具有广阔的应用前景🌐

数智朋克报道,杭州万高科技股份有限公司最近提交了一项具有前瞻性的创新专利,名为 “一种基于eDRAM的高密度近存计算与存内计算混合架构及计算方法”。 该专利申请于2024年11月获得国家知识产权局受理,公开号为CN119152906A。专利的核心技术通过eDRAM架构的运用,大幅提升计算效率并显著降低能耗,突破了当前计算架构中的多个瓶颈问题。

专利描述的创新架构将近存计算与存内计算相结合,优化了传统计算结构的整体性能。具体技术方案包括eDRAM近存与存算混合阵列、灵敏放大器和ADC电路等关键模块。通过采用深沟槽电容代替传统的平面电容设计,不仅提高了高速计算能力,也有效减少了能耗和延迟,带来了极大的高密度和高效能优势。

该技术特别适合应用于边缘计算设备,满足高性能计算和低功耗的双重需求,尤其在深度学习加速器核的设计中具有广泛应用前景。

随着物联网和人工智能技术的飞速发展,边缘计算已成为智能设备发展的关键驱动力。杭州万高科技的这一技术创新,无疑将为推动边缘计算设备的市场扩展提供重要支撑。

实际应用方面,基于eDRAM架构的智能设备能够高效处理大规模数据,尤其适用于复杂AI任务,如图像识别、语音处理和自然语言理解。最终用户将体验到更快速的响应速度和更低的能耗,设备在游戏、视频处理及日常应用等领域的表现也将大幅提升。尤其是在移动设备和嵌入式系统中,预计这项技术将在未来的智能设备领域发挥重要作用,为行业发展注入新的动力。

本文链接: https://www.shuzhipunk.com/articles/3E9VCLkzJBN
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eDRAM架构
边缘计算